Сверхвысоковакуумная установка молекулярно лучевой эпитаксии «Omicron»

Универсальный сверхвысоковакуумный комплекс, состоящий из двух СВВ установок,  предназначен для получения наноструктур на основе металлов и полупроводников с помощью молекулярно-лучевых испарителей, эффузионных ячеек,  а также их исследования методами АСМ и туннельной микроскопии, спектроскопии характеристических потерь энергии электронами, дифракции быстрых электронов.

Сверхвысоковакуумная напылительная система с магнетронными источниками

Система предназначена для получения многокомпонентных наноструктур из проводящих и непроводящих материалов методом магнетронного  осаждения (2 DC + 2 RF магнетрона, вращение подложек, нагрев подложек). 

Высоковакуумная установка SNC-500

Высоковакуумная система для нанесения алмазоподобных покрытий (DLC) методами Laser Arc & Filtred Arc PVD.

​

Установка дает возможность модифицировать покрытие путем добавления газов в процессе осаждения, например, ацетилен. Можно добавлять промежуточные слои, например, Ti, Al, TiN, TiAlN, тем самым изменяя свойства покрытия.

Установка реактивного ионного
травления Plasma Lab 80 plus

Малогабаритная система для реактивного ионного травления металлов, диэлектриков и полупроводников. 

Электронный литограф E-Line, Raith

Система электронной литографии E-Line Raith.  Разрешающая способность электронной колонны (при WD=2 – 10 мм) не хуже, чем 1,1 нм при 20 000 В.

Минимальный размер получаемого элемента поверхности в пределах 15-20 нм.

​

Вспомогательное оборудование для литографии: 

1. Центрифуга SM180BT;

2. Печь лабораторная для быстрого отжига АО-500;

3. Термостолик HP 150-250.

Оптический литограф MJB-4

Ручная установка совмещения и экспонирования для контактной литографии базового уровня. Обработка пластин до 100 мм. 

Предельное разрешение не хуже 0.6 мкм при вакуумном контакте.

Система экспонирования позволяет работать на длинах волны 250, 300 и 400 нм без замены лампового блока

Установки ультразвуковой
сварки

В лаборатории имеется две установки для сварки выводов методами  «шарик-клин» и "клин-клин". 

Сканирующий зондовый микроскоп Ntegra Spectra с Рамановским спектрометром

Методы исследования:

конфокальная флуоресцентная/ рамановская микроскопия и спектроскопия, оптическая микроскопия, ближнепольная оптическая микроскопия, атомно-силовая микроскопия.

Высокое разрешение оптического микроскопа (0,25 мкм)

Исследование процессов переноса энергии, например, распространение света в нанотрубках и оптоволокне, изучение DLC пленок.

Сканирующий зондовый микроскоп Ntegra Aura

Позволяет проводить исследования рельефа поверхности и магнитной структуры широкого спектра материалов, в том числе и наноструктур.

Укомплектован  электромагнитами, создающие поля перпендикулярно и параллельно плоскости образца величиной до 1 кЭ.

СКВИД магнитометр с системой EVERCOOL MPMS XL 5

Измеряемые параметры: 
DC намагниченность, AC восприимчивость, гистерезис, угловая зависимость магнитного момента, удельное электрическое сопротивление, эффект Холла, магнитосопротивление, оптическая восприимчивость. 

Магнетометр оборудован ячейкой давления.

Основные характеристики: 
Напряженность биполярного магнитного поля ±5 Тесла.
Диапазон температур 1.9 ÷400 К.
Чувствительность измерения намагниченности  10-8 э.м.е.

Вибрационный магнитометр
LakeShore 7401 VSM

Измеряемые параметры: 
DC намагниченность, AC восприимчивость, гистерезис, угловая зависимость магнитного момента, кривые намагничивания, FORC измерения

Основные характеристики: 
Напряженность биполярного магнитного поля ± 3 Тесла.
Диапазон температур 78 ÷800 К.
Чувствительность измерения намагниченности  10-6 э.м.е.

Магнитооптический магнитометр Nanomoke-2

Высокочувствительный магнитометр с диаметром пятна лазера от 3 мкм. Возможность построения карт коэрцитивной силы.

Возможнссть измерения полярного и продольного эффекта Керра.

Величина магнитных полей до 5 кЭ.

Магнитооптический микроскоп Evico Magnetics

Возможность наблюдения доменной структуры пленок и микро- и наноструктур с использованием полярного, меридионального и экваториального эффектов Керра. Горизонтальное магнитное поле - 1 – 5 кЭ. Вертикальное магнитное поле - до 5 кЭ.

Система для измерения спинового эффекта Холла  и магнитосопротивления наноструктур на базе зондовой станции Suss

Зондовая станция для проведения измерений магнитосопротивления и эффекта Холла с помощью техники Lock-In

​

Векторный анализатор цепей Agilent для исследования динамических свойств магнитных наноструктур (9 ГГц)

Высокопроизводительные вычислительные серверы

Многопроцессорный вычислительный кластер для микромагнитного моделирования в средах MagPar и OOMMF.

Микросуперкомпьютер c графическими ускорителями Tesla P100 для моделирования на MuMax3

​

Система хранения данных среднего уровня 5300 V3 (Huawei), 22 ТБ.